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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SUD35N10-26P-T4GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 35A TO252

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：35A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：47nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 12V

功率 - 最大值：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）