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SI1065X-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI1065X-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):156 毫歐 @ 1.18A, 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10.8nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):480pF @ 6V

功率 - 最大值:236mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6


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