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IRLD110PBF
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):IRLD110PBF

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):540 毫歐 @ 600mA,5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6.1nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):250pF @ 25V

功率 - 最大值:1.3W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)

供應(yīng)商器件封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP


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