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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TK35N65W,S1F

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：35A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 17.5A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 2.1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：100nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4100pF @ 300V

功率 - 最大值：270W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-247