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ST意法半導體公司完整型號：STS19N3LLH6

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 9.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 15V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1690pF @ 25V

功率 - 最大值：2.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO