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ON安森美半導體完整型號: NGTG35N65FL2WG

制造廠家名稱: ON Semiconductor

功能總體簡述: IGBT 650V 60A 167W TO247

系列: -

IGBT 類型: 場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 650V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 70A

脈沖電流 - 集電極 (Icm): 120A

不同 Vge，Ic 時的 Vce（on）: 2V @ 15V，35A

功率 - 最大值: 300W

開關能量: 840μJ（開），280μJ（關）

輸入類型: 標準

柵極電荷: 125nC

25°C 時 Td（開/關）值: 72ns/132ns

測試條件: 400V，35A，10 歐姆，15V

反向恢復時間（trr）: -

封裝/外殼: *

安裝類型: *

供應商器件封裝: *