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ECH8402-TL-E
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號: ECH8402-TL-E
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 10A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 15 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 28nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1400pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH


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