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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB80N06S209ATMA2

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

系列: OptiMOS?

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 55V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 80A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 8.8 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 125μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 80nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 2360pF @ 25V

功率 - 最大值: 190W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝: PG-TO263-3-2