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Infineon英飛凌公司完整型號：IPB081N06L3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：50A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：8.1 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 34μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4900pF @ 30V

功率 - 最大值：79W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2