- 產品型號：IPB017N10N5ATMA1
- 制 造 商：Infineon（英飛凌）
- 出廠封裝：TO-263-7，D2Pak
- 功能類別：FET - 單
- 功能描述：MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPB017N10N5ATMA1
制造廠家名稱: Infineon Technologies
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
系列: OptiMOS?
FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓（Vdss）: 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 180A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 1.7 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 279μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 210nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 15600pF @ 50V
功率 - 最大值: 375W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）
供應商器件封裝: PG-TO263-7
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