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BSZ180P03NS3E G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSZ180P03NS3E G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):9A(Ta),39.5A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 48μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2220pF @ 15V

功率 - 最大值:2.1W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)


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