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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：BSB056N10NN3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：9A（Ta），83A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：74nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5500pF @ 50V

功率 - 最大值：78W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-WDSON

供應(yīng)商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M