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Diodes公司完整型號：DMG4N65CTI

制造廠家名稱：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：13.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：900pF @ 25V

功率 - 最大值：8.35W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB